因應高階IC封裝朝向系統級封裝(System in Package, SiP)之發展，利用扇出型封裝技術將多晶片與被動元件的高度整合已是趨勢，故本技術透過面板級重新分配層(Re-distribution Layer, RDL)技術與面板級薄膜元件技術，開發整合厚膜元件(電感)與薄膜元件(電容) 的RDL中介層，應用於射頻無線通訊的帶通濾波器。減少被動元件之使用除了可使產品的電路微縮外，省下的空間可供電池使用，以利提升5G行動通訊產品的續航力。此外，為避免多晶片封裝在製程過程中被靜電放電所損傷，故在積體電路設計中，除將靜電防護電路(ESD protection circuit)設計於晶片中外，亦會設計靜電防護電路佈局於封裝結構以達到更全面性的防護。
本技術透過面板級製程技術，以低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS-TFT)元件技術為基礎製作，開發CDM-ESD (Charged Device Model- Electrostatic Discharge)靜電防護電路，以提升面板級扇出型封裝之靜電防護能力。其將可協助中小面板產線轉型IC封裝應用，厚度較傳統元件組成電路減少50％以上，滿足半導體封裝產業創新設計需求，拓展高附加價值應用市場。

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